Bo mạch in ăng-ten hoạt động 5G tần số cao

Tính năng chính

• Cấu trúc lớp dày đặc:Sử dụng cấu trúc liên kết mật độ cao 22 lớp (22L) để hỗ trợ truyền tín hiệu RF phức tạp, đáp ứng các yêu cầu khắt khe về tính toàn vẹn và cách ly tín hiệu trong các ứng dụng 5G tần số cao.
• Vật liệu hiệu suất cao:Sử dụng vật liệu tần số cao, tổn hao thấp Doosan DS-7409DV HVLP để đảm bảo tính chất điện môi xuất sắc và tổn hao chèn thấp trong các ứng dụng tần số cao.
• Quy trình ép nhiều lớp:Sử dụng quy trình ép lớp hai bước để tăng cường đáng kể độ bền liên kết giữa các lớp và độ tin cậy của sản phẩm cuối cùng, phù hợp với các quy trình phức tạp yêu cầu bởi các bảng mạch đa lớp.
• Thiết kế lỗ khoan phức tạp:Tích hợp 11 dải lỗ khoan ngược để tối ưu hóa đường dẫn tín hiệu, giảm tác động phụ và nhiễu tín hiệu, đồng thời cải thiện tính toàn vẹn của tín hiệu tốc độ cao.
• Công nghệ VIPPO:Sử dụng công nghệ VIPPO (Via In Pad Plated Over) để tăng mật độ dây dẫn và hiệu suất điện tử vượt trội, hỗ trợ xu hướng thu nhỏ và tích hợp cao.
• Khối đồng nhúng:Tích hợp 22 khối đồng trong bảng mạch để nâng cao khả năng tản nhiệt cục bộ và cải thiện quản lý nhiệt cho các thành phần hoạt động công suất cao.
• Kiểm soát trở kháng đa dạng:Hỗ trợ 10 thiết kế trở kháng khác nhau cho cả truyền tín hiệu đơn và truyền tín hiệu vi sai, đáp ứng nhu cầu khớp trở kháng đa dạng của các thiết bị RF.
• Công nghệ điền lỗ thông qua tiên tiến:Sử dụng kỹ thuật lấp đầy lỗ thông qua mạ điện áp cao và áp suất thấp để cải thiện chất lượng lấp đầy kim loại trong lỗ thông, đạt được độ tin cậy điện và cơ học cao hơn.

Ứng dụng chính

• Các ăng-ten hoạt động của trạm gốc 5G (AAU/AAU Massive MIMO).
• Các mô-đun và bộ thu phát RF tần số cao.
• Mảng ăng-ten mật độ cao trong hệ thống truyền thông không dây.
• Mô-đun đầu cuối RF công suất cao.
• Thiết bị truyền thông cao cấp yêu cầu tần số cao, tổn hao thấp và khả năng tản nhiệt ưu việt.